_____本文援用地点：克日，泰克科技与远山半导体的配合迎来又一主要里程碑，两边联袂对远山半导体最新推出的1700V GaN器件停止了深刻测试与评价，结果斐然，为该器件在高端利用市场的拓展注入微弱能源。此前，远山半导体凭仗其在高压GaN器件范畴的连续翻新，已胜利推出多款产物，并逐渐将额外电压晋升至1700V，这一电压品级的冲破，相较于1200V器件实现了明显机能奔腾。为霸占GaN器件罕见的电流崩塌困难，远山半导体采取了步人后尘的极化超等结（PSJ）技巧，并对出产工艺停止了深度优化，使得器件不只额外任务电压年夜幅晋升至1700V，任务电流也到达了30A，为高功率利用场景供给了更为微弱的“芯”能源。在此次配合测试中，泰克科技凭仗其进步的测试装备与专业的技巧团队，对远山半导体供给的1700V/100mΩ规格GaN样品停止了全方位、多维度的机能检测。静态测试成果表现，该器件在1700V电压下反偏泄电流Idss仅为4.48uA（Vgs = -8V），且在10uA泄电流前提下，Vds电压胜利冲破1750V，击穿电压表示出色，为器件的高牢靠性运转奠基了坚固基本。同时，作为常开型器件，其阈值电压测试精准牢靠，当Vds = 10V，Id = 1mA时，实测阈值电压Vth稳固在-4.1V，确保了器件在差别任务前提下的精准把持。在导通状况下，测试前提为Vgs = +3V，Id = 20A，电流脉宽300uS时，四线形式下实测导通电阻仅为107mΩ，远低于行业同类产物，展示出杰出的导电机能。静态特征测试更是亮点纷呈。因为泰克科技现在的GaN测试电路最年夜测试电压为1000V，为确保测试保险，两边在900V电压前提下对该器件停止了双脉冲测试。测试前提为：Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V, Vgsoff = -8V, Id = 20A，负载电感L = 200uH。测试波形清楚表现，在900V高压前提下，Vds波形在两次导通阶段内坚持稳固低电压，多少乎濒临0V，充足证实了器件在高压硬开关操纵下未呈现电流崩塌景象，其静态机能出色，牢靠性极高。为进一步精准丈量功率器件在开关进程中的静态导通电阻值，泰克科技应用钳位探头对器件停止深刻丈量。钳位探头可无效过滤旌旗灯号高压局部，以较小量程精准丈量高压局部，尤其实用于疾速开关前提下，正确丈量导通前提下的器件两头电压降。经由过程电压钳位探头丈量失掉的钳位电压Vds-clamp，联合导通电流Id，根据欧姆定律盘算得出静态导通电阻D-Rdson。测试数据标明，在差别电压前提下，器件的归一化静态电阻随测试电压降低增添比例较小，300V、600V、900V时候别为1、1.07、1.18，彰显了器件在高压开关前提下稳固的任务状况，其机能表示远超预期。此次测试成果充足展示了远山半导体1700V GaN器件的出色机能，其各项指标不只革新了市场对GaN器件的认知，更是疾速迫近乃至在局部机能指标上超出了主流SiC功率器件。将来，跟着GaN器件在临时任务牢靠性及本钱上风方面的进一步凸显，无望在产业范畴年夜放异彩，逐渐实现对SiC功率器件的替换，开启功率器件市场的新篇章。泰克科技与远山半导体的严密配合，再次为半导体行业建立了产学研用协同翻新的典型。两边将持续联袂共进，一直摸索与冲破，推进GaN器件技巧的连续提高，为寰球电子工业的高品质开展奉献更多力气。